RFW2N06RLE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFW2N06RLE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.09 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: HEXDIP

Аналог (замена) для RFW2N06RLE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFW2N06RLE даташит

 ..1. Size:48K  intersil
 rfw2n06rle.pdf pdf_icon

RFW2N06RLE

RFW2N06RLE Data Sheet July 1999 File Number 2838.3 2A, 60V, 0.160 Ohm, Logic Level, Features N-Channel Power MOSFET 2A, 60V The RFW2N06RLE N-Channel, logic level, ESD protected, rDS(on) = 0.160 power MOSFET is manufactured using the MegaFET UIS Rating Curve (Single Pulse) process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives

Другие IGBT... RFP8N20L, RFP8P05, RFP8P06E, RFP8P06LE, RFP8P10, RFT1P06E, RFT2P03L, RFT3055LE, IRFB7545, RLP1N06CLE, SD10425JAA, SDF034JAA-D, SDF034JAA-S, SDF034JAA-U, SDF034JAB-D, SDF034JAB-S, SDF034JAB-U