RFW2N06RLE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RFW2N06RLE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.09 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: HEXDIP
Аналог (замена) для RFW2N06RLE
RFW2N06RLE Datasheet (PDF)
rfw2n06rle.pdf
RFW2N06RLEData Sheet July 1999 File Number 2838.32A, 60V, 0.160 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFET 2A, 60VThe RFW2N06RLE N-Channel, logic level, ESD protected, rDS(on) = 0.160power MOSFET is manufactured using the MegaFET UIS Rating Curve (Single Pulse)process. This process, which uses feature sizesapproaching those of LSI integrated circuits, gives
Другие MOSFET... RFP8N20L , RFP8P05 , RFP8P06E , RFP8P06LE , RFP8P10 , RFT1P06E , RFT2P03L , RFT3055LE , IRFB7545 , RLP1N06CLE , SD10425JAA , SDF034JAA-D , SDF034JAA-S , SDF034JAA-U , SDF034JAB-D , SDF034JAB-S , SDF034JAB-U .
History: FQAF10N80 | RFT2P03L | IRFBC30ALPBF | PJP4NA90 | PSD04N65B | SFF440J
History: FQAF10N80 | RFT2P03L | IRFBC30ALPBF | PJP4NA90 | PSD04N65B | SFF440J
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM608C | AGM6080D | AGM6080C | AGM6070A | AGM606S | AGM605Q | AGM605F | AGM605C | AGM605A | AGM603F | AGM603D | AGM603C | AGM6035F | AGM6035A | AGM602C | AGM40P75D
Popular searches
a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a


