Справочник MOSFET. RFW2N06RLE

 

RFW2N06RLE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFW2N06RLE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.09 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: HEXDIP
 

 Аналог (замена) для RFW2N06RLE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFW2N06RLE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:48K  intersil
 rfw2n06rle.pdf pdf_icon

RFW2N06RLE

RFW2N06RLEData Sheet July 1999 File Number 2838.32A, 60V, 0.160 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFET 2A, 60VThe RFW2N06RLE N-Channel, logic level, ESD protected, rDS(on) = 0.160power MOSFET is manufactured using the MegaFET UIS Rating Curve (Single Pulse)process. This process, which uses feature sizesapproaching those of LSI integrated circuits, gives

Другие MOSFET... RFP8N20L , RFP8P05 , RFP8P06E , RFP8P06LE , RFP8P10 , RFT1P06E , RFT2P03L , RFT3055LE , 8N60 , RLP1N06CLE , SD10425JAA , SDF034JAA-D , SDF034JAA-S , SDF034JAA-U , SDF034JAB-D , SDF034JAB-S , SDF034JAB-U .

History: SFB037N100C3 | CS5630 | SM4844NHK | IRFIZ48V | VBMB1203M | SVG103R0NS | YJQ40G10A

 

 
Back to Top

 


 
.