ELM34812AA Todos los transistores

 

ELM34812AA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ELM34812AA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 277 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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ELM34812AA datasheet

 ..1. Size:429K  elm
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ELM34812AA

Dual N-channel MOSFET ELM34812AA-N General description Features ELM34812AA-N uses advanced trench technology to Vds=20V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=7A resistance. Rds(on)

 7.1. Size:545K  elm
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ELM34812AA

Dual N-channel MOSFET ELM34810AA-N General description Features ELM34810AA-N uses advanced trench technology to Vds=30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=7A resistance. Rds(on)

 8.1. Size:1071K  elm
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ELM34812AA

Dual P-channel MOSFET ELM34803AA-N General description Features ELM34803AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-8A resistance. Rds(on)

 8.2. Size:775K  elm
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ELM34812AA

Dual N-channel MOSFET ELM34802AA-N General description Features ELM34802AA-N uses advanced trench technology to Vds=30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=4.5A resistance. Rds(on)

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