Справочник MOSFET. ELM34812AA

 

ELM34812AA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ELM34812AA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 277 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для ELM34812AA

 

 

ELM34812AA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:429K  elm
 elm34812aa.pdf

ELM34812AA ELM34812AA

Dual N-channel MOSFETELM34812AA-NGeneral description Features ELM34812AA-N uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=7A resistance. Rds(on)

 7.1. Size:545K  elm
 elm34810aa.pdf

ELM34812AA ELM34812AA

Dual N-channel MOSFETELM34810AA-NGeneral description Features ELM34810AA-N uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=7A resistance. Rds(on)

 8.1. Size:1071K  elm
 elm34803aa-n.pdf

ELM34812AA ELM34812AA

Dual P-channel MOSFETELM34803AA-NGeneral description Features ELM34803AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-8A resistance. Rds(on)

 8.2. Size:775K  elm
 elm34802aa-n.pdf

ELM34812AA ELM34812AA

Dual N-channel MOSFETELM34802AA-NGeneral description Features ELM34802AA-N uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=4.5A resistance. Rds(on)

 8.3. Size:416K  elm
 elm34801aa.pdf

ELM34812AA ELM34812AA

Dual P-channel MOSFETELM34801AA-NGeneral description Features ELM34801AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-6A resistance. Rds(on)

 8.4. Size:605K  elm
 elm34804aa.pdf

ELM34812AA ELM34812AA

Dual N-channel MOSFETELM34804AA-NGeneral description Features ELM34804AA-N uses advanced trench technology to Vds=60Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=4.5A resistance. Rds(on)

 8.5. Size:559K  elm
 elm34808aa.pdf

ELM34812AA ELM34812AA

Dual N-channel MOSFETELM34808AA-NGeneral description Features ELM34808AA-N uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=7A resistance. Rds(on)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top