ELM36405EA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ELM36405EA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
Carga de la puerta (Qg): 12.5 nC
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 170 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.044 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-26
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ELM36405EA
ELM36405EA Datasheet (PDF)
elm36405ea.pdf
Single P-channel MOSFETELM36405EA-SGeneral description Features ELM36405EA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-5A resistance. Rds(on)
elm36403ea.pdf
Single P-channel MOSFETELM36403EA-SGeneral description Features ELM36403EA-S uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-5A resistance. Rds(on)
elm36402ea.pdf
Single N-channel MOSFETELM36402EA-SGeneral description Features ELM36402EA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=6.5A resistance. Rds(on)
elm36400ea.pdf
Single N-channel MOSFETELM36400EA-SGeneral description Features ELM36400EA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=7A resistance. Rds(on)
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