Справочник MOSFET. ELM36405EA

 

ELM36405EA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ELM36405EA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ELM36405EA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:481K  elm
 elm36405ea.pdf pdf_icon

ELM36405EA

Single P-channel MOSFETELM36405EA-SGeneral description Features ELM36405EA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-5A resistance. Rds(on)

 7.1. Size:587K  elm
 elm36403ea.pdf pdf_icon

ELM36405EA

Single P-channel MOSFETELM36403EA-SGeneral description Features ELM36403EA-S uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-5A resistance. Rds(on)

 7.2. Size:485K  elm
 elm36402ea.pdf pdf_icon

ELM36405EA

Single N-channel MOSFETELM36402EA-SGeneral description Features ELM36402EA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=6.5A resistance. Rds(on)

 7.3. Size:634K  elm
 elm36400ea.pdf pdf_icon

ELM36405EA

Single N-channel MOSFETELM36400EA-SGeneral description Features ELM36400EA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=7A resistance. Rds(on)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ME75N03 | ZVP0535A

 

 
Back to Top

 


 
.