ELM529575A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ELM529575A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252-3
Búsqueda de reemplazo de ELM529575A MOSFET
ELM529575A Datasheet (PDF)
elm529575a.pdf

Single P-channel MOSFETELM529575A-SGeneral description Features ELM529575A-S uses advanced trench technology to Vds=-60Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-18A resistance. Rds(on) = 68m (Vgs=-10V) Rds(on) = 78m (Vgs=-4.5V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage Vds -60 VGate-source voltage Vg
Otros transistores... ELM3C0660A , ELM3C0850A , ELM3C1260A , ELM3C1350A , ELM51400FA-S , ELM51401FA , ELM51402FA , ELM51404FA , IRF3205 , ELM53400CA , ELM53401CA , ELM53402CA , ELM53403CA , ELM53404CA-S , ELM53405CA-S , ELM53406CA , ELM544539A .
History: IPB80N06S3L-05 | FHD7N65B | STU3N45K3 | LSC65R650HT | CEP540L | IRF6718L2
History: IPB80N06S3L-05 | FHD7N65B | STU3N45K3 | LSC65R650HT | CEP540L | IRF6718L2



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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