ELM529575A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ELM529575A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm
Тип корпуса: TO-252-3
Аналог (замена) для ELM529575A
ELM529575A Datasheet (PDF)
elm529575a.pdf

Single P-channel MOSFETELM529575A-SGeneral description Features ELM529575A-S uses advanced trench technology to Vds=-60Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-18A resistance. Rds(on) = 68m (Vgs=-10V) Rds(on) = 78m (Vgs=-4.5V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage Vds -60 VGate-source voltage Vg
Другие MOSFET... ELM3C0660A , ELM3C0850A , ELM3C1260A , ELM3C1350A , ELM51400FA-S , ELM51401FA , ELM51402FA , ELM51404FA , IRF3205 , ELM53400CA , ELM53401CA , ELM53402CA , ELM53403CA , ELM53404CA-S , ELM53405CA-S , ELM53406CA , ELM544539A .
History: KI1557DH
History: KI1557DH



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet