ELM529575A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ELM529575A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm
Тип корпуса: TO-252-3
Аналог (замена) для ELM529575A
ELM529575A Datasheet (PDF)
elm529575a.pdf

Single P-channel MOSFETELM529575A-SGeneral description Features ELM529575A-S uses advanced trench technology to Vds=-60Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-18A resistance. Rds(on) = 68m (Vgs=-10V) Rds(on) = 78m (Vgs=-4.5V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage Vds -60 VGate-source voltage Vg
Другие MOSFET... ELM3C0660A , ELM3C0850A , ELM3C1260A , ELM3C1350A , ELM51400FA-S , ELM51401FA , ELM51402FA , ELM51404FA , IRF3205 , ELM53400CA , ELM53401CA , ELM53402CA , ELM53403CA , ELM53404CA-S , ELM53405CA-S , ELM53406CA , ELM544539A .
History: HGT016NE6A | PHP79NQ08LT | WMB108N03T1 | BSC252N10NSF | LSD65R180GT | 6N70KG-TMS4-T | IRFI530NPBF
History: HGT016NE6A | PHP79NQ08LT | WMB108N03T1 | BSC252N10NSF | LSD65R180GT | 6N70KG-TMS4-T | IRFI530NPBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet