ELM549407A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ELM549407A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ELM549407A

ELM549407A Datasheet (PDF)

..1. Size:1172K elm
elm549407a.pdf

Single P-channel MOSFETELM549407A-NGeneral description Features ELM549407A-N uses advanced trench technology to Vds=-60Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-4.6Aresistance. Rds(on)

9.1. Size:1276K elm
elm544634a.pdf

Single N-channel MOSFETELM544634A-NGeneral description Features ELM544634A-N uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=18A resistance. Rds(on) = 5.8m (Vgs=10V) Rds(on) = 7.2m (Vgs=4.5V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage Vds 30 VGate-source voltage Vgs

9.2. Size:1738K elm
elm544539a.pdf

Complementary MOSFET ELM544539A-NGeneral Description Features ELM544539A-N uses advanced trench technology N-channelto provide excellent Rds(on) and low gate charge. Vds=30V, Id=5.0A, Rds(on)=36m(Vgs=10V) Vds=30V, Id=4.7A, Rds(on)=46m(Vgs=4.5V) P-channel Vds=-30V, Id=-5.4A, Rds(on)=62m(Vgs=-10V) Vds=-30V, Id=-4.2A, Rds(on)=90m(Vgs=-4.5V)Maximum Absol

9.3. Size:2807K elm
elm544599a.pdf

Complementary MOSFET ELM544599A-NGeneral Description Features ELM544599A-N uses advanced trench technology N-channelto provide excellent Rds(on) and low gate charge. Vds=40V, Id=8.0A, Rds(on)=22m(Vgs=10V) Vds=40V, Id=6.0A, Rds(on)=28m(Vgs=4.5V) P-channel Vds=-40V, Id=-7.2A, Rds(on)=42m(Vgs=-10V) Vds=-40V, Id=-6.2A, Rds(on)=60m(Vgs=-4.5V)Maximum Abso

9.4. Size:377K elm
elm54801aa.pdf

Dual P-channel MOSFETELM54801AA-NGeneral description Features ELM54801AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=-5A (Vgs=-10V) Rds(on)

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Liste

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