Справочник MOSFET. ELM549407A

 

ELM549407A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ELM549407A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для ELM549407A

 

 

ELM549407A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1172K  elm
 elm549407a.pdf

ELM549407A ELM549407A

Single P-channel MOSFETELM549407A-NGeneral description Features ELM549407A-N uses advanced trench technology to Vds=-60Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-4.6Aresistance. Rds(on)

 9.1. Size:1276K  elm
 elm544634a.pdf

ELM549407A ELM549407A

Single N-channel MOSFETELM544634A-NGeneral description Features ELM544634A-N uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=18A resistance. Rds(on) = 5.8m (Vgs=10V) Rds(on) = 7.2m (Vgs=4.5V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage Vds 30 VGate-source voltage Vgs

 9.2. Size:1738K  elm
 elm544539a.pdf

ELM549407A ELM549407A

Complementary MOSFET ELM544539A-NGeneral Description Features ELM544539A-N uses advanced trench technology N-channelto provide excellent Rds(on) and low gate charge. Vds=30V, Id=5.0A, Rds(on)=36m(Vgs=10V) Vds=30V, Id=4.7A, Rds(on)=46m(Vgs=4.5V) P-channel Vds=-30V, Id=-5.4A, Rds(on)=62m(Vgs=-10V) Vds=-30V, Id=-4.2A, Rds(on)=90m(Vgs=-4.5V)Maximum Absol

 9.3. Size:2807K  elm
 elm544599a.pdf

ELM549407A ELM549407A

Complementary MOSFET ELM544599A-NGeneral Description Features ELM544599A-N uses advanced trench technology N-channelto provide excellent Rds(on) and low gate charge. Vds=40V, Id=8.0A, Rds(on)=22m(Vgs=10V) Vds=40V, Id=6.0A, Rds(on)=28m(Vgs=4.5V) P-channel Vds=-40V, Id=-7.2A, Rds(on)=42m(Vgs=-10V) Vds=-40V, Id=-6.2A, Rds(on)=60m(Vgs=-4.5V)Maximum Abso

 9.4. Size:377K  elm
 elm54801aa.pdf

ELM549407A ELM549407A

Dual P-channel MOSFETELM54801AA-NGeneral description Features ELM54801AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=-5A (Vgs=-10V) Rds(on)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top