ELM56800EA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ELM56800EA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-26

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ELM56800EA

ELM56800EA Datasheet (PDF)

..1. Size:1274K elm
elm56800ea.pdf

Dual N-channel MOSFETELM56800EA-SGeneral description Features ELM56800EA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=3.6A resistance. Rds(on) = 70m (Vgs=10V) Rds(on) = 78m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 95m (Vgs=2.5V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage Vds 30

7.1. Size:1223K elm
elm56801ea.pdf

Dual P-channel MOSFETELM56801EA-SGeneral description Features ELM56801EA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-3.2A, Rds(on)=100m (Vgs=-4.5V)resistance. Id=-2.6A, Rds(on)=135m (Vgs=-2.5V) Id=-1.5A, Rds(on)=190m (Vgs=-1.8V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-sou

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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