ELM56800EA Todos los transistores

 

ELM56800EA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ELM56800EA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: SOT-26

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ELM56800EA datasheet

 ..1. Size:1274K  elm
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ELM56800EA

Dual N-channel MOSFET ELM56800EA-S General description Features ELM56800EA-S uses advanced trench technology to Vds=30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=3.6A resistance. Rds(on) = 70m (Vgs=10V) Rds(on) = 78m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 95m (Vgs=2.5V) Maximum absolute ratings Parameter Symbol Limit Unit Drain-source voltage Vds 30

 7.1. Size:1223K  elm
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ELM56800EA

Dual P-channel MOSFET ELM56801EA-S General description Features ELM56801EA-S uses advanced trench technology to Vds=-20V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-3.2A, Rds(on)=100m (Vgs=-4.5V) resistance. Id=-2.6A, Rds(on)=135m (Vgs=-2.5V) Id=-1.5A, Rds(on)=190m (Vgs=-1.8V) Maximum absolute ratings Parameter Symbol Limit Unit Drain-sou

Otros transistores... ELM53404CA-S , ELM53405CA-S , ELM53406CA , ELM544539A , ELM544599A , ELM544634A , ELM54801AA , ELM549407A , IRF640N , ELM56801EA , ELM57800GA , ELM57801GA , ELM58822SA , ELM588822A-S , ELM5B801QA , ELM5E400PA , ELM5E401PA .

History: PSMN8R5-108ES | AP2N7002 | 2SK3309

 

 

 

 

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