Справочник MOSFET. ELM56800EA

 

ELM56800EA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ELM56800EA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ELM56800EA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1274K  elm
 elm56800ea.pdf pdf_icon

ELM56800EA

Dual N-channel MOSFETELM56800EA-SGeneral description Features ELM56800EA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=3.6A resistance. Rds(on) = 70m (Vgs=10V) Rds(on) = 78m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 95m (Vgs=2.5V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage Vds 30

 7.1. Size:1223K  elm
 elm56801ea.pdf pdf_icon

ELM56800EA

Dual P-channel MOSFETELM56801EA-SGeneral description Features ELM56801EA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-3.2A, Rds(on)=100m (Vgs=-4.5V)resistance. Id=-2.6A, Rds(on)=135m (Vgs=-2.5V) Id=-1.5A, Rds(on)=190m (Vgs=-1.8V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-sou

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRF3707ZCS | AO6804A | IRFR410 | CS5210 | WMJ38N60C2 | NCEP039N10MD | SE80130G

 

 
Back to Top

 


 
.