ELM57800GA Todos los transistores

 

ELM57800GA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ELM57800GA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70-6
 

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ELM57800GA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1306K  elm
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ELM57800GA

Dual N-channel MOSFETELM57800GA-SGeneral description Features ELM57800GA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=1.8Aresistance. Rds(on)

 7.1. Size:1303K  elm
 elm57801ga.pdf pdf_icon

ELM57800GA

Dual P-channel MOSFETELM57801GA-SGeneral description Features ELM57801GA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-1.4Aresistance. Rds(on)

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History: WFD5N60C | STD7NM60N | BLF578 | CEB13N5A | IXTK62N25 | ME4920 | RQK0302GGDQS

 

 
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