ELM57800GA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ELM57800GA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 1.8 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 1.06 nC
   Tiempo de subida (tr): 20 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 20 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ELM57800GA

ELM57800GA Datasheet (PDF)

..1. Size:1306K elm
elm57800ga.pdf

Dual N-channel MOSFETELM57800GA-SGeneral description Features ELM57800GA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=1.8Aresistance. Rds(on)

7.1. Size:1303K elm
elm57801ga.pdf

Dual P-channel MOSFETELM57801GA-SGeneral description Features ELM57801GA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-1.4Aresistance. Rds(on)

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Liste

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