ELM57800GA Todos los transistores

 

ELM57800GA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ELM57800GA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: SC-70-6

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ELM57800GA datasheet

 ..1. Size:1306K  elm
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ELM57800GA

Dual N-channel MOSFET ELM57800GA-S General description Features ELM57800GA-S uses advanced trench technology to Vds=20V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=1.8A resistance. Rds(on)

 7.1. Size:1303K  elm
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ELM57800GA

Dual P-channel MOSFET ELM57801GA-S General description Features ELM57801GA-S uses advanced trench technology to Vds=-20V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-1.4A resistance. Rds(on)

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