Справочник MOSFET. ELM57800GA

 

ELM57800GA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ELM57800GA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6
 

 Аналог (замена) для ELM57800GA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ELM57800GA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1306K  elm
 elm57800ga.pdf pdf_icon

ELM57800GA

Dual N-channel MOSFETELM57800GA-SGeneral description Features ELM57800GA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=1.8Aresistance. Rds(on)

 7.1. Size:1303K  elm
 elm57801ga.pdf pdf_icon

ELM57800GA

Dual P-channel MOSFETELM57801GA-SGeneral description Features ELM57801GA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-1.4Aresistance. Rds(on)

Другие MOSFET... ELM53406CA , ELM544539A , ELM544599A , ELM544634A , ELM54801AA , ELM549407A , ELM56800EA , ELM56801EA , IRF3710 , ELM57801GA , ELM58822SA , ELM588822A-S , ELM5B801QA , ELM5E400PA , ELM5E401PA , ELM5E402PA , ELM5H1072A .

History: NDP6051L | BSC035N04LSG | FDS6680S | PK5G6EA | S85N042R | 2SK681A | STN4260

 

 
Back to Top

 


 
.