ELM57800GA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ELM57800GA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
Тип корпуса: SC-70-6
Аналог (замена) для ELM57800GA
ELM57800GA Datasheet (PDF)
elm57800ga.pdf
Dual N-channel MOSFETELM57800GA-SGeneral description Features ELM57800GA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=1.8Aresistance. Rds(on)
elm57801ga.pdf
Dual P-channel MOSFETELM57801GA-SGeneral description Features ELM57801GA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-1.4Aresistance. Rds(on)
Другие MOSFET... ELM53406CA , ELM544539A , ELM544599A , ELM544634A , ELM54801AA , ELM549407A , ELM56800EA , ELM56801EA , AO3400 , ELM57801GA , ELM58822SA , ELM588822A-S , ELM5B801QA , ELM5E400PA , ELM5E401PA , ELM5E402PA , ELM5H1072A .
History: FDMS86104 | AOL1206 | WMO26N65C4 | S80N10RN | EMB07N03HR | ELM53400CA | ELM57801GA
History: FDMS86104 | AOL1206 | WMO26N65C4 | S80N10RN | EMB07N03HR | ELM53400CA | ELM57801GA
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet



