ELM588822A-S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ELM588822A-S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Encapsulados: TSSOP-8
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ELM588822A-S datasheet
elm588822a-s.pdf
(common drain) Dual N-channel MOSFET ELM588822A-S General description Features ELM588822A-S uses advanced trench technology to Vds=20V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=7.2A resistance. Rds(on) = 28m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 32m (Vgs=2.5V) Rds(on) = 45m (Vgs=1.8V) Maximum absolute ratings Ta=25 C. Unless otherwise noted. Par
elm58822sa.pdf
(common drain) Dual N-channel MOSFET ELM58822SA-S General description Features ELM58822SA-S uses advanced trench technology to Vds=20V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=6.5A resistance. Rds(on) = 32m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 35m (Vgs=2.5V) Maximum absolute ratings Parameter Symbol Limit Unit Drain-source voltage Vds 20 V Gate-sourc
Otros transistores... ELM544634A , ELM54801AA , ELM549407A , ELM56800EA , ELM56801EA , ELM57800GA , ELM57801GA , ELM58822SA , 10N60 , ELM5B801QA , ELM5E400PA , ELM5E401PA , ELM5E402PA , ELM5H1072A , ELM5J400RA , ELM5K8471A , ELM5K8473A .
History: FDB3672-F085
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