ELM588822A-S Todos los transistores

 

ELM588822A-S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ELM588822A-S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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ELM588822A-S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1801K  elm
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ELM588822A-S

(common drain)Dual N-channel MOSFET ELM588822A-SGeneral description Features ELM588822A-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=7.2A resistance. Rds(on) = 28m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 32m (Vgs=2.5V) Rds(on) = 45m (Vgs=1.8V)Maximum absolute ratingsTa=25C. Unless otherwise noted.Par

 8.1. Size:1270K  elm
 elm58822sa.pdf pdf_icon

ELM588822A-S

(common drain)Dual N-channel MOSFET ELM58822SA-SGeneral description Features ELM58822SA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=6.5A resistance. Rds(on) = 32m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 35m (Vgs=2.5V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage Vds 20 VGate-sourc

Otros transistores... ELM544634A , ELM54801AA , ELM549407A , ELM56800EA , ELM56801EA , ELM57800GA , ELM57801GA , ELM58822SA , IRFB4227 , ELM5B801QA , ELM5E400PA , ELM5E401PA , ELM5E402PA , ELM5H1072A , ELM5J400RA , ELM5K8471A , ELM5K8473A .

History: AP2310GN | 1404TR | PHT2NQ10T | AP2626GY-HF | ELM56801EA | AP2851GO | AP2762I-A-HF

 

 
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