ELM588822A-S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ELM588822A-S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 650 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8

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ELM588822A-S Datasheet (PDF)

..1. Size:1801K elm
elm588822a-s.pdf

(common drain)Dual N-channel MOSFET ELM588822A-SGeneral description Features ELM588822A-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=7.2A resistance. Rds(on) = 28m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 32m (Vgs=2.5V) Rds(on) = 45m (Vgs=1.8V)Maximum absolute ratingsTa=25C. Unless otherwise noted.Par

8.1. Size:1270K elm
elm58822sa.pdf

(common drain)Dual N-channel MOSFET ELM58822SA-SGeneral description Features ELM58822SA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=6.5A resistance. Rds(on) = 32m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 35m (Vgs=2.5V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage Vds 20 VGate-sourc

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Liste

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