ELM588822A-S - описание и поиск аналогов

 

ELM588822A-S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ELM588822A-S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

Аналог (замена) для ELM588822A-S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ELM588822A-S даташит

 ..1. Size:1801K  elm
 elm588822a-s.pdf pdf_icon

ELM588822A-S

(common drain) Dual N-channel MOSFET ELM588822A-S General description Features ELM588822A-S uses advanced trench technology to Vds=20V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=7.2A resistance. Rds(on) = 28m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 32m (Vgs=2.5V) Rds(on) = 45m (Vgs=1.8V) Maximum absolute ratings Ta=25 C. Unless otherwise noted. Par

 8.1. Size:1270K  elm
 elm58822sa.pdf pdf_icon

ELM588822A-S

(common drain) Dual N-channel MOSFET ELM58822SA-S General description Features ELM58822SA-S uses advanced trench technology to Vds=20V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=6.5A resistance. Rds(on) = 32m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 35m (Vgs=2.5V) Maximum absolute ratings Parameter Symbol Limit Unit Drain-source voltage Vds 20 V Gate-sourc

Другие MOSFET... ELM544634A , ELM54801AA , ELM549407A , ELM56800EA , ELM56801EA , ELM57800GA , ELM57801GA , ELM58822SA , 10N60 , ELM5B801QA , ELM5E400PA , ELM5E401PA , ELM5E402PA , ELM5H1072A , ELM5J400RA , ELM5K8471A , ELM5K8473A .

History: G50N03A | RW1C015UN

 

 

 

 

↑ Back to Top
.