Справочник MOSFET. ELM588822A-S

 

ELM588822A-S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ELM588822A-S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для ELM588822A-S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ELM588822A-S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1801K  elm
 elm588822a-s.pdf pdf_icon

ELM588822A-S

(common drain)Dual N-channel MOSFET ELM588822A-SGeneral description Features ELM588822A-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=7.2A resistance. Rds(on) = 28m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 32m (Vgs=2.5V) Rds(on) = 45m (Vgs=1.8V)Maximum absolute ratingsTa=25C. Unless otherwise noted.Par

 8.1. Size:1270K  elm
 elm58822sa.pdf pdf_icon

ELM588822A-S

(common drain)Dual N-channel MOSFET ELM58822SA-SGeneral description Features ELM58822SA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=6.5A resistance. Rds(on) = 32m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 35m (Vgs=2.5V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage Vds 20 VGate-sourc

Другие MOSFET... ELM544634A , ELM54801AA , ELM549407A , ELM56800EA , ELM56801EA , ELM57800GA , ELM57801GA , ELM58822SA , IRFB4227 , ELM5B801QA , ELM5E400PA , ELM5E401PA , ELM5E402PA , ELM5H1072A , ELM5J400RA , ELM5K8471A , ELM5K8473A .

History: RJU003N03FRA | PH1330AL | AP2864I-A-HF | IXTH75N10L2 | AP2852GO | IXTY1N80

 

 
Back to Top

 


 
.