ELM5B801QA Todos los transistores

 

ELM5B801QA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ELM5B801QA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.096 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN6-2X2
 

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ELM5B801QA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1291K  elm
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ELM5B801QA

Dual P-channel MOSFETELM5B801QA-SGeneral description Features ELM5B801QA-N uses advanced trench Vds=-20Vtechnology to provide excellent Rds(on) Id=-4.5A, Rds(on)=96m (Vgs=-4.5V)and low gate charge. Id=-3.8A, Rds(on)=128m (Vgs=-2.5V) Id=-2.5A, Rds(on)=180m (Vgs=-1.8V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage Vds -20 V

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History: AOW15S65 | AM6411P | BSC072N04LD | IXTY1N80 | SM3106NSU | RQJ0301HGDQS | IRF7484Q

 

 
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