ELM5B801QA Todos los transistores

 

ELM5B801QA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ELM5B801QA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.096 Ohm

Encapsulados: DFN6-2X2

 Búsqueda de reemplazo de ELM5B801QA MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

ELM5B801QA datasheet

 ..1. Size:1291K  elm
 elm5b801qa.pdf pdf_icon

ELM5B801QA

Dual P-channel MOSFET ELM5B801QA-S General description Features ELM5B801QA-N uses advanced trench Vds=-20V technology to provide excellent Rds(on) Id=-4.5A, Rds(on)=96m (Vgs=-4.5V) and low gate charge. Id=-3.8A, Rds(on)=128m (Vgs=-2.5V) Id=-2.5A, Rds(on)=180m (Vgs=-1.8V) Maximum absolute ratings Parameter Symbol Limit Unit Drain-source voltage Vds -20 V

Otros transistores... ELM54801AA , ELM549407A , ELM56800EA , ELM56801EA , ELM57800GA , ELM57801GA , ELM58822SA , ELM588822A-S , AON6414A , ELM5E400PA , ELM5E401PA , ELM5E402PA , ELM5H1072A , ELM5J400RA , ELM5K8471A , ELM5K8473A , EM6K1 .

History: PSMN7R5-30YLD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.