ELM5B801QA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ELM5B801QA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.096 Ohm
Тип корпуса: DFN6-2X2
Аналог (замена) для ELM5B801QA
ELM5B801QA Datasheet (PDF)
elm5b801qa.pdf

Dual P-channel MOSFETELM5B801QA-SGeneral description Features ELM5B801QA-N uses advanced trench Vds=-20Vtechnology to provide excellent Rds(on) Id=-4.5A, Rds(on)=96m (Vgs=-4.5V)and low gate charge. Id=-3.8A, Rds(on)=128m (Vgs=-2.5V) Id=-2.5A, Rds(on)=180m (Vgs=-1.8V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage Vds -20 V
Другие MOSFET... ELM54801AA , ELM549407A , ELM56800EA , ELM56801EA , ELM57800GA , ELM57801GA , ELM58822SA , ELM588822A-S , P55NF06 , ELM5E400PA , ELM5E401PA , ELM5E402PA , ELM5H1072A , ELM5J400RA , ELM5K8471A , ELM5K8473A , EM6K1 .
History: STM4435 | IRFP140N | 3SK143P | 3SK139Q | 3SK179 | SSF2307B | AON3402
History: STM4435 | IRFP140N | 3SK143P | 3SK139Q | 3SK179 | SSF2307B | AON3402



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor