ELM5B801QA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ELM5B801QA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 36 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.096 Ohm
Тип корпуса: DFN6-2X2
Аналог (замена) для ELM5B801QA
ELM5B801QA Datasheet (PDF)
elm5b801qa.pdf
Dual P-channel MOSFETELM5B801QA-SGeneral description Features ELM5B801QA-N uses advanced trench Vds=-20Vtechnology to provide excellent Rds(on) Id=-4.5A, Rds(on)=96m (Vgs=-4.5V)and low gate charge. Id=-3.8A, Rds(on)=128m (Vgs=-2.5V) Id=-2.5A, Rds(on)=180m (Vgs=-1.8V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage Vds -20 V
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918