Справочник MOSFET. ELM5B801QA

 

ELM5B801QA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ELM5B801QA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.096 Ohm
   Тип корпуса: DFN6-2X2
 

 Аналог (замена) для ELM5B801QA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ELM5B801QA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1291K  elm
 elm5b801qa.pdf pdf_icon

ELM5B801QA

Dual P-channel MOSFETELM5B801QA-SGeneral description Features ELM5B801QA-N uses advanced trench Vds=-20Vtechnology to provide excellent Rds(on) Id=-4.5A, Rds(on)=96m (Vgs=-4.5V)and low gate charge. Id=-3.8A, Rds(on)=128m (Vgs=-2.5V) Id=-2.5A, Rds(on)=180m (Vgs=-1.8V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage Vds -20 V

Другие MOSFET... ELM54801AA , ELM549407A , ELM56800EA , ELM56801EA , ELM57800GA , ELM57801GA , ELM58822SA , ELM588822A-S , IRFB4110 , ELM5E400PA , ELM5E401PA , ELM5E402PA , ELM5H1072A , ELM5J400RA , ELM5K8471A , ELM5K8473A , EM6K1 .

History: RJU003N03FRA | PH1330AL | AP2864I-A-HF | IXTH75N10L2

 

 
Back to Top

 


 
.