ELM5B801QA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ELM5B801QA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.096 Ohm
Тип корпуса: DFN6-2X2
Аналог (замена) для ELM5B801QA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
ELM5B801QA даташит
elm5b801qa.pdf
Dual P-channel MOSFET ELM5B801QA-S General description Features ELM5B801QA-N uses advanced trench Vds=-20V technology to provide excellent Rds(on) Id=-4.5A, Rds(on)=96m (Vgs=-4.5V) and low gate charge. Id=-3.8A, Rds(on)=128m (Vgs=-2.5V) Id=-2.5A, Rds(on)=180m (Vgs=-1.8V) Maximum absolute ratings Parameter Symbol Limit Unit Drain-source voltage Vds -20 V
Другие MOSFET... ELM54801AA , ELM549407A , ELM56800EA , ELM56801EA , ELM57800GA , ELM57801GA , ELM58822SA , ELM588822A-S , AON6414A , ELM5E400PA , ELM5E401PA , ELM5E402PA , ELM5H1072A , ELM5J400RA , ELM5K8471A , ELM5K8473A , EM6K1 .
History: JMSH1008PC
History: JMSH1008PC
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor

