ELM5E400PA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ELM5E400PA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.27 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-523
- Selección de transistores por parámetros
ELM5E400PA Datasheet (PDF)
elm5e400pa.pdf

Single N-channel MOSFETELM5E400PA-SGeneral description Features ELM5E400PA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=0.7Aresistance. Rds(on) = 360m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 420m (Vgs=2.5V) Rds(on) = 560m (Vgs=1.8V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage V
elm5e402pa.pdf

Single N-channel MOSFETELM5E402PA-SGeneral description Features ELM5E402PA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=0.7Aresistance. Rds(on) = 360m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 420m (Vgs=2.5V) Rds(on) = 560m (Vgs=1.8V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage V
elm5e401pa.pdf

Single P-channel MOSFETELM5E401PA-SGeneral description Features ELM5E401PA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-0.7A resistance. Rds(on) = 620m (Vgs=-4.5V) Rds(on) = 860m (Vgs=-2.5V) Rds(on) = 1450m (Vgs=-1.8V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source vo
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: SI4812DY | ET6309 | HY1908PS | AP2312GN | IRF8852 | AO4822A | MTDP9933KQ8
History: SI4812DY | ET6309 | HY1908PS | AP2312GN | IRF8852 | AO4822A | MTDP9933KQ8



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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