EM6K6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EM6K6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.12 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Paquete / Cubierta: EMT6
Búsqueda de reemplazo de EM6K6 MOSFET
EM6K6 Datasheet (PDF)
em6k6.pdf

EM6K6 Transistor 1.8V Drive Nch+Nch MOSFET EM6K6 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel EMT6MOSFET Applications Switching Features Each lead has same dimensions1) The MOSFET elements are independent, Abbreviated symbol : K06eliminating mutual interference. 2) Mounting cost and area can be cut in half. 3) Low on-resistance. 4) Low voltage drive (
Otros transistores... ELM5H1072A , ELM5J400RA , ELM5K8471A , ELM5K8473A , EM6K1 , EM6K31 , EM6K33 , EM6K34 , K3569 , EM6K7 , EMH2314 , EMH2417R , EMH2418R , ES6U2 , ES6U3 , ES6U41 , ES6U42 .
History: 3SK15 | IRFIZ24E | 3SK181 | SM3319NSQA | WMO4N65D1B | CM10N40 | F5001H
History: 3SK15 | IRFIZ24E | 3SK181 | SM3319NSQA | WMO4N65D1B | CM10N40 | F5001H



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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