EM6K6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EM6K6
Código: K06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.12 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 10 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1 Ohm
Paquete / Cubierta: EMT6
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EM6K6 Datasheet (PDF)
em6k6.pdf
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EM6K6 Transistor 1.8V Drive Nch+Nch MOSFET EM6K6 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel EMT6MOSFET Applications Switching Features Each lead has same dimensions1) The MOSFET elements are independent, Abbreviated symbol : K06eliminating mutual interference. 2) Mounting cost and area can be cut in half. 3) Low on-resistance. 4) Low voltage drive (
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .