EM6K6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: EM6K6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.12 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: EMT6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET EM6K6

EM6K6 Datasheet (PDF)

..1. Size:78K rohm
em6k6.pdf

EM6K6 Transistor 1.8V Drive Nch+Nch MOSFET EM6K6 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel EMT6MOSFET Applications Switching Features Each lead has same dimensions1) The MOSFET elements are independent, Abbreviated symbol : K06eliminating mutual interference. 2) Mounting cost and area can be cut in half. 3) Low on-resistance. 4) Low voltage drive (

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: