EM6K6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: EM6K6
Маркировка: K06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.12 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 10 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1 Ohm
Тип корпуса: EMT6
EM6K6 Datasheet (PDF)
..1. Size:78K rohm
em6k6.pdf
em6k6.pdf
EM6K6 Transistor 1.8V Drive Nch+Nch MOSFET EM6K6 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel EMT6MOSFET Applications Switching Features Each lead has same dimensions1) The MOSFET elements are independent, Abbreviated symbol : K06eliminating mutual interference. 2) Mounting cost and area can be cut in half. 3) Low on-resistance. 4) Low voltage drive (
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
