EM6K7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EM6K7
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.12 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: EMT6
- Selección de transistores por parámetros
EM6K7 Datasheet (PDF)
em6k7.pdf

1.2V Drive Nch+Nch MOSFET EM6K7 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel EMT6MOSFET Applications Switching Features 1) The MOSFET elements are independent, Each lead has same dimensionseliminating mutual interference. Abbreviated symbol : K072) Mounting cost and area can be cut in half. 3) Low voltage drive (1.2V) makes this device ideal for portable
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: H5N2004DS | PHB65N06LT | FDS6892A | STU30N01 | NTLJS4159NT1G | APT50M75LLLG | WFW40N25W
History: H5N2004DS | PHB65N06LT | FDS6892A | STU30N01 | NTLJS4159NT1G | APT50M75LLLG | WFW40N25W



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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