EM6K7 Todos los transistores

 

EM6K7 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EM6K7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.12 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: EMT6

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EM6K7 datasheet

 ..1. Size:153K  rohm
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EM6K7

1.2V Drive Nch+Nch MOSFET EM6K7 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel EMT6 MOSFET Applications Switching Features 1) The MOSFET elements are independent, Each lead has same dimensions eliminating mutual interference. Abbreviated symbol K07 2) Mounting cost and area can be cut in half. 3) Low voltage drive (1.2V) makes this device ideal for portable

Otros transistores... ELM5J400RA , ELM5K8471A , ELM5K8473A , EM6K1 , EM6K31 , EM6K33 , EM6K34 , EM6K6 , IRF9540N , EMH2314 , EMH2417R , EMH2418R , ES6U2 , ES6U3 , ES6U41 , ES6U42 , F10F50VX2 .

 

 

 


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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10

 

 

 

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