EM6K7 Todos los transistores

 

EM6K7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EM6K7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.12 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: EMT6
 

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EM6K7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  rohm
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EM6K7

1.2V Drive Nch+Nch MOSFET EM6K7 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel EMT6MOSFET Applications Switching Features 1) The MOSFET elements are independent, Each lead has same dimensionseliminating mutual interference. Abbreviated symbol : K072) Mounting cost and area can be cut in half. 3) Low voltage drive (1.2V) makes this device ideal for portable

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History: AON6414AL | AON2880

 

 
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