EM6K7 - аналоги и даташиты транзистора

 

EM6K7 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: EM6K7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.12 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: EMT6
 

 Аналог (замена) для EM6K7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EM6K7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  rohm
 em6k7.pdf pdf_icon

EM6K7

1.2V Drive Nch+Nch MOSFET EM6K7 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel EMT6MOSFET Applications Switching Features 1) The MOSFET elements are independent, Each lead has same dimensionseliminating mutual interference. Abbreviated symbol : K072) Mounting cost and area can be cut in half. 3) Low voltage drive (1.2V) makes this device ideal for portable

Другие MOSFET... ELM5J400RA , ELM5K8471A , ELM5K8473A , EM6K1 , EM6K31 , EM6K33 , EM6K34 , EM6K6 , IRF1010E , EMH2314 , EMH2417R , EMH2418R , ES6U2 , ES6U3 , ES6U41 , ES6U42 , F10F50VX2 .

History: AP2310AGN-HF | CJAE2002 | ME7845S-G | SMG2343 | HUFA75842S3ST | WML030N06HG4

 

 
Back to Top

 


 
.