EMH2314 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EMH2314
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 158 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
Encapsulados: EMH8
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EMH2314 datasheet
emh2314.pdf
Ordering number EN8759A EMH2314 Power MOSFET http //onsemi.com 12V, 37m , 5A, Dual P-Channel Features ON-resistance RDS(on)1=28m (typ.) Halogen free compliance 1.8V drive Protection Diode in Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --12 V Gate-to-Source Voltage VG
emh2308.pdf
EMH2308 Ordering number ENA1445 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device EMH2308 Applications Features The EMH2308 incorporates a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance and ultrahigh-speed switching, thereby enabling high-density mounting. 1.8V drive. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Paramete
Otros transistores... ELM5K8471A , ELM5K8473A , EM6K1 , EM6K31 , EM6K33 , EM6K34 , EM6K6 , EM6K7 , IRF4905 , EMH2417R , EMH2418R , ES6U2 , ES6U3 , ES6U41 , ES6U42 , F10F50VX2 , F10V50VX2 .
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