EMH2314 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: EMH2314
Маркировка: MP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
trⓘ - Время нарастания: 77 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
Тип корпуса: EMH8
EMH2314 Datasheet (PDF)
emh2314.pdf
Ordering number : EN8759AEMH2314Power MOSFEThttp://onsemi.com 12V, 37m , 5A, Dual P-ChannelFeatures ON-resistance RDS(on)1=28m (typ.) Halogen free compliance 1.8V drive Protection Diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Value UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --12 VGate-to-Source Voltage VG
emh2308.pdf
EMH2308Ordering number : ENA1445SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceEMH2308ApplicationsFeatures The EMH2308 incorporates a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance and ultrahigh-speed switching, thereby enabling high-density mounting. 1.8V drive.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParamete
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918