ES6U2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ES6U2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: WEMT6
Búsqueda de reemplazo de ES6U2 MOSFET
ES6U2 Datasheet (PDF)
es6u2.pdf

1.5V Drive Nch+SBD MOSFET ES6U2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET / WEMT6Schottky barrier diode (6) (5) (4) Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode are put in WEMT6 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. (1) (2) (3)3) Low voltage drive (1.5V drive). 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbriviated symbol : U02
Otros transistores... EM6K31 , EM6K33 , EM6K34 , EM6K6 , EM6K7 , EMH2314 , EMH2417R , EMH2418R , SPP20N60C3 , ES6U3 , ES6U41 , ES6U42 , F10F50VX2 , F10V50VX2 , F10W50 , F10W50C , F10W90HVX2 .
History: 2N7002EM3T5G | RS1E300GN | H7N0603DS | AOWF11N70 | DACMH80N1200 | BL80N20L-W | SVS65R380FD4
History: 2N7002EM3T5G | RS1E300GN | H7N0603DS | AOWF11N70 | DACMH80N1200 | BL80N20L-W | SVS65R380FD4



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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