ES6U2 - описание и поиск аналогов

 

ES6U2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ES6U2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: WEMT6

Аналог (замена) для ES6U2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ES6U2 даташит

 ..1. Size:166K  rohm
 es6u2.pdf pdf_icon

ES6U2

1.5V Drive Nch+SBD MOSFET ES6U2 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET / WEMT6 Schottky barrier diode (6) (5) (4) Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode are put in WEMT6 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. (1) (2) (3) 3) Low voltage drive (1.5V drive). 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbriviated symbol U02

Другие MOSFET... EM6K31 , EM6K33 , EM6K34 , EM6K6 , EM6K7 , EMH2314 , EMH2417R , EMH2418R , K3569 , ES6U3 , ES6U41 , ES6U42 , F10F50VX2 , F10V50VX2 , F10W50 , F10W50C , F10W90HVX2 .

History: APT10078SFLL | 2SK3595-01MR | MS70N03

 

 

 

 

↑ Back to Top
.