ES6U2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ES6U2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: WEMT6
Аналог (замена) для ES6U2
ES6U2 Datasheet (PDF)
es6u2.pdf

1.5V Drive Nch+SBD MOSFET ES6U2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET / WEMT6Schottky barrier diode (6) (5) (4) Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode are put in WEMT6 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. (1) (2) (3)3) Low voltage drive (1.5V drive). 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbriviated symbol : U02
Другие MOSFET... EM6K31 , EM6K33 , EM6K34 , EM6K6 , EM6K7 , EMH2314 , EMH2417R , EMH2418R , SPP20N60C3 , ES6U3 , ES6U41 , ES6U42 , F10F50VX2 , F10V50VX2 , F10W50 , F10W50C , F10W90HVX2 .
History: IXTA220N075T7 | AFN3016S | PSMN1R1-30PL
History: IXTA220N075T7 | AFN3016S | PSMN1R1-30PL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n2924 | mpsa65 | 2sa794 | 2sa816 | 2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet