Справочник MOSFET. ES6U2

 

ES6U2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ES6U2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: WEMT6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ES6U2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  rohm
es6u2.pdfpdf_icon

ES6U2

1.5V Drive Nch+SBD MOSFET ES6U2 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET / WEMT6Schottky barrier diode (6) (5) (4) Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode are put in WEMT6 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. (1) (2) (3)3) Low voltage drive (1.5V drive). 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbriviated symbol : U02

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SML80B16F | TPH4R008NH | FL6L5201 | IXTT88N30P | FDD9407-F085 | SI1405BDH | CHM4955JGP

 

 
Back to Top

 


 
.