ES6U42 Todos los transistores

 

ES6U42 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ES6U42
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.39 Ohm
   Paquete / Cubierta: WEMT6
 

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ES6U42 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  rohm
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ES6U42

2.5V Drive Pch+SBD MOSFET ES6U42 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET / WEMT6Schottky barrier diode (6) (5) (4) Features 1) Pch MOSFET and schottky barrier diode are put in WEMT6 package. (1) (2) (3)2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) Low voltage drive (2.5V drive). 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbreviated symbol : U42

 9.1. Size:148K  rohm
 es6u41.pdf pdf_icon

ES6U42

2.5V Drive Nch+SBD MOSFET ES6U41 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET / WEMT6Schottky barrier diode (6) (5) (4)Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode- are put in WEMT6 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. (1) (2) (3)3) Low voltage drive (2.5V drive). 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbreviated symbo

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History: SIHFDC20 | IRFS9533 | SSM3K12T | IRLR8259PBF

 

 
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