ES6U42 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ES6U42
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.39 Ohm
Encapsulados: WEMT6
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ES6U42 datasheet
es6u42.pdf
2.5V Drive Pch+SBD MOSFET ES6U42 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET / WEMT6 Schottky barrier diode (6) (5) (4) Features 1) Pch MOSFET and schottky barrier diode are put in WEMT6 package. (1) (2) (3) 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) Low voltage drive (2.5V drive). 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbreviated symbol U42
es6u41.pdf
2.5V Drive Nch+SBD MOSFET ES6U41 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET / WEMT6 Schottky barrier diode (6) (5) (4) Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode- are put in WEMT6 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. (1) (2) (3) 3) Low voltage drive (2.5V drive). 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbreviated symbo
Otros transistores... EM6K6 , EM6K7 , EMH2314 , EMH2417R , EMH2418R , ES6U2 , ES6U3 , ES6U41 , SPP20N60C3 , F10F50VX2 , F10V50VX2 , F10W50 , F10W50C , F10W90HVX2 , F11F60C3M , F11F60CPM , F11F80C3M .
History: BRCS4294SC
History: BRCS4294SC
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