ES6U42 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ES6U42
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.39 Ohm
Тип корпуса: WEMT6
Аналог (замена) для ES6U42
ES6U42 Datasheet (PDF)
es6u42.pdf

2.5V Drive Pch+SBD MOSFET ES6U42 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET / WEMT6Schottky barrier diode (6) (5) (4) Features 1) Pch MOSFET and schottky barrier diode are put in WEMT6 package. (1) (2) (3)2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) Low voltage drive (2.5V drive). 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbreviated symbol : U42
es6u41.pdf

2.5V Drive Nch+SBD MOSFET ES6U41 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET / WEMT6Schottky barrier diode (6) (5) (4)Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode- are put in WEMT6 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. (1) (2) (3)3) Low voltage drive (2.5V drive). 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbreviated symbo
Другие MOSFET... EM6K6 , EM6K7 , EMH2314 , EMH2417R , EMH2418R , ES6U2 , ES6U3 , ES6U41 , AON7410 , F10F50VX2 , F10V50VX2 , F10W50 , F10W50C , F10W90HVX2 , F11F60C3M , F11F60CPM , F11F80C3M .
History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60
History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sa816 | 2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20