F11F60C3M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F11F60C3M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.9 VQgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET F11F60C3M
F11F60C3M Datasheet (PDF)
f11f60c3m.pdf
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f11f60cpm.pdf
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Liste
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