F11F60C3M Todos los transistores

 

F11F60C3M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: F11F60C3M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET F11F60C3M

 

F11F60C3M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  shindengen
f11f60c3m.pdf

F11F60C3M
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 7.1. Size:150K  shindengen
f11f60cpm.pdf

F11F60C3M
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