Справочник MOSFET. F11F60C3M

 

F11F60C3M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: F11F60C3M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для F11F60C3M

 

 

F11F60C3M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  shindengen
 f11f60c3m.pdf

F11F60C3M F11F60C3M

P we MOS Eo r F T O T IEU LNUntmmiP cae T 20akgF O-2AF 1 6C M1F 0 3 6 0 10 V1A 000011F60C3M F aueetrL wRoONFsS tat wihncig Ioae akgs

 7.1. Size:150K  shindengen
 f11f60cpm.pdf

F11F60C3M F11F60C3M

P we MOS Eo r F T O T IEU LNUntmmiP cae T 20 GakgF O-2AF 1 6C M1F 0 P 6 0 10 V1A 000011F60CPMF aueetr L wRoONIoae akgsltdP cae

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top