F11F60C3M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: F11F60C3M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
trⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
F11F60C3M Datasheet (PDF)
f11f60c3m.pdf
P we MOS Eo r F T O T IEU LNUntmmiP cae T 20akgF O-2AF 1 6C M1F 0 3 6 0 10 V1A 000011F60C3M F aueetrL wRoONFsS tat wihncig Ioae akgs
f11f60cpm.pdf
P we MOS Eo r F T O T IEU LNUntmmiP cae T 20 GakgF O-2AF 1 6C M1F 0 P 6 0 10 V1A 000011F60CPMF aueetr L wRoONIoae akgsltdP cae
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: FDG8842CZ
History: FDG8842CZ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918