Справочник MOSFET. F11F60C3M

 

F11F60C3M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: F11F60C3M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для F11F60C3M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F11F60C3M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  shindengen
 f11f60c3m.pdf pdf_icon

F11F60C3M

P we MOS Eo r F T O T IEU LNUntmmiP cae T 20akgF O-2AF 1 6C M1F 0 3 6 0 10 V1A 000011F60C3M F aueetrL wRoONFsS tat wihncig Ioae akgs

 7.1. Size:150K  shindengen
 f11f60cpm.pdf pdf_icon

F11F60C3M

P we MOS Eo r F T O T IEU LNUntmmiP cae T 20 GakgF O-2AF 1 6C M1F 0 P 6 0 10 V1A 000011F60CPMF aueetr L wRoONIoae akgsltdP cae

Другие MOSFET... ES6U3 , ES6U41 , ES6U42 , F10F50VX2 , F10V50VX2 , F10W50 , F10W50C , F10W90HVX2 , 4435 , F11F60CPM , F11F80C3M , F11S80C3 , F12F50VX2 , F12W50VX2 , F15F60C3M , F15W50VX2 , F16F60CPM .

History: IXFH69N30P | RU1088R | OSG65R017HT3F | IXTA4N80P | SI1058X | NTD65N03R | TPCA8004-H

 

 
Back to Top

 


 
.