F11F60C3M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: F11F60C3M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для F11F60C3M
F11F60C3M Datasheet (PDF)
f11f60c3m.pdf
P we MOS Eo r F T O T IEU LNUntmmiP cae T 20akgF O-2AF 1 6C M1F 0 3 6 0 10 V1A 000011F60C3M F aueetrL wRoONFsS tat wihncig Ioae akgs
f11f60cpm.pdf
P we MOS Eo r F T O T IEU LNUntmmiP cae T 20 GakgF O-2AF 1 6C M1F 0 P 6 0 10 V1A 000011F60CPMF aueetr L wRoONIoae akgsltdP cae
Другие MOSFET... ES6U3 , ES6U41 , ES6U42 , F10F50VX2 , F10V50VX2 , F10W50 , F10W50C , F10W90HVX2 , 4435 , F11F60CPM , F11F80C3M , F11S80C3 , F12F50VX2 , F12W50VX2 , F15F60C3M , F15W50VX2 , F16F60CPM .
History: TPB65R070D | BSP300 | IPP139N08N3G | RSM002N06 | MDIS2N65BTH | IRL3714ZSPBF | AP65SL380DI
History: TPB65R070D | BSP300 | IPP139N08N3G | RSM002N06 | MDIS2N65BTH | IRL3714ZSPBF | AP65SL380DI
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor