F11F60CPM Todos los transistores

 

F11F60CPM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: F11F60CPM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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F11F60CPM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  shindengen
 f11f60cpm.pdf pdf_icon

F11F60CPM

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 7.1. Size:153K  shindengen
 f11f60c3m.pdf pdf_icon

F11F60CPM

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Otros transistores... ES6U41 , ES6U42 , F10F50VX2 , F10V50VX2 , F10W50 , F10W50C , F10W90HVX2 , F11F60C3M , IRF530 , F11F80C3M , F11S80C3 , F12F50VX2 , F12W50VX2 , F15F60C3M , F15W50VX2 , F16F60CPM , F20F60C3M .

History: IRFY9240M | 28N10 | BSC010N04LS6 | BSC009NE2LS | AP6P064H | HUFA76639S3S | PSMN7R5-25YLC

 

 
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