F11F60CPM - описание и поиск аналогов

 

F11F60CPM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: F11F60CPM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для F11F60CPM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F11F60CPM даташит

 ..1. Size:150K  shindengen
 f11f60cpm.pdf pdf_icon

F11F60CPM

P we MOS E o r F T O T IE U LN Untmm i P cae T 20 G akg F O-2A F 1 6C M 1F 0 P 6 0 1 0 V1A 0000 11F60CPM F aue etr L wR o ON Ioae akg sltdP cae

 7.1. Size:153K  shindengen
 f11f60c3m.pdf pdf_icon

F11F60CPM

P we MOS E o r F T O T IE U LN Untmm i P cae T 20 akg F O-2A F 1 6C M 1F 0 3 6 0 1 0 V1A 0000 11F60C3M F aue etr L wR o ON FsS t at wihn cig Ioae akg s

Другие MOSFET... ES6U41 , ES6U42 , F10F50VX2 , F10V50VX2 , F10W50 , F10W50C , F10W90HVX2 , F11F60C3M , IRF1010E , F11F80C3M , F11S80C3 , F12F50VX2 , F12W50VX2 , F15F60C3M , F15W50VX2 , F16F60CPM , F20F60C3M .

History: AON6418

 

 

 

 

↑ Back to Top
.