F11S80C3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F11S80C3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 740 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
Encapsulados: STO-220
Búsqueda de reemplazo de F11S80C3 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
F11S80C3 datasheet
f11s80c3.pdf
P we MOS E o r F T O T IE U LN Untmm i P cae T 20 akg S O-2 F 1 8C 1S 0 3 8 0 1 0 V1A 0000 11S80C3 F aue etr L wR o ON FsS t at wihn cig
Otros transistores... F10F50VX2 , F10V50VX2 , F10W50 , F10W50C , F10W90HVX2 , F11F60C3M , F11F60CPM , F11F80C3M , AON6380 , F12F50VX2 , F12W50VX2 , F15F60C3M , F15W50VX2 , F16F60CPM , F20F60C3M , F20S60C3 , F20W50VX2 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet