F11S80C3 - описание и поиск аналогов

 

F11S80C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: F11S80C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 740 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: STO-220

Аналог (замена) для F11S80C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F11S80C3 даташит

 ..1. Size:154K  shindengen
 f11s80c3.pdf pdf_icon

F11S80C3

P we MOS E o r F T O T IE U LN Untmm i P cae T 20 akg S O-2 F 1 8C 1S 0 3 8 0 1 0 V1A 0000 11S80C3 F aue etr L wR o ON FsS t at wihn cig

Другие MOSFET... F10F50VX2 , F10V50VX2 , F10W50 , F10W50C , F10W90HVX2 , F11F60C3M , F11F60CPM , F11F80C3M , AON6380 , F12F50VX2 , F12W50VX2 , F15F60C3M , F15W50VX2 , F16F60CPM , F20F60C3M , F20S60C3 , F20W50VX2 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.