F25F60CPM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F25F60CPM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de F25F60CPM MOSFET
F25F60CPM Datasheet (PDF)
f25f60cpm.pdf

F 5 6C M2F 0 P C A A T RS I DA MSH R C E ITC IGRA Typical Output Characteristics Transfer Characteristics Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
Otros transistores... F15W50VX2 , F16F60CPM , F20F60C3M , F20S60C3 , F20W50VX2 , F20W60C3 , F21F60CPM , F24W60C3 , P0903BDG , F31W60CP , F35W60C3 , F39W60CP , F3F90HVX2 , F3S90HVX2 , F3V50VX2 , F3V90HVX2 , F47W60C3 .
History: RJK0349DPA | HY4306B6 | IXFT12N100F | BRFL13N50 | 2SK1478 | 2SK65 | CEF02N6G
History: RJK0349DPA | HY4306B6 | IXFT12N100F | BRFL13N50 | 2SK1478 | 2SK65 | CEF02N6G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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