F25F60CPM - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: F25F60CPM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для F25F60CPM
F25F60CPM Datasheet (PDF)
f25f60cpm.pdf

F 5 6C M2F 0 P C A A T RS I DA MSH R C E ITC IGRA Typical Output Characteristics Transfer Characteristics Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
Другие MOSFET... F15W50VX2 , F16F60CPM , F20F60C3M , F20S60C3 , F20W50VX2 , F20W60C3 , F21F60CPM , F24W60C3 , RFP50N06 , F31W60CP , F35W60C3 , F39W60CP , F3F90HVX2 , F3S90HVX2 , F3V50VX2 , F3V90HVX2 , F47W60C3 .
History: BSS84S6R | SDF120JDA-S | RFL1N18 | AOB2910L | WMO13N80M3 | AON3814 | WML080N10HG2
History: BSS84S6R | SDF120JDA-S | RFL1N18 | AOB2910L | WMO13N80M3 | AON3814 | WML080N10HG2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet