F31W60CP Todos los transistores

 

F31W60CP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: F31W60CP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

 Búsqueda de reemplazo de F31W60CP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

F31W60CP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  shindengen
f31w60cp.pdf pdf_icon

F31W60CP

P we MOS Eo r F T O T IEU LNUntmmiP cae O-PakgMT 3F 1 0 P3W6C 6 0 10 V3A 0000 31W60CPF aueetrL wRoONFsS tat wihncig

Otros transistores... F16F60CPM , F20F60C3M , F20S60C3 , F20W50VX2 , F20W60C3 , F21F60CPM , F24W60C3 , F25F60CPM , 5N65 , F35W60C3 , F39W60CP , F3F90HVX2 , F3S90HVX2 , F3V50VX2 , F3V90HVX2 , F47W60C3 , F4F60VX2 .

History: IPB70N10S3-12 | APM2309AC | STU70N2LH5 | CHM5506JGP | AP3C023AMT | PMCXB900UE | RSS090P03FU6TB

 

 
Back to Top

 


 
.