F31W60CP - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

F31W60CP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: F31W60CP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 31 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 60 nC
   Время нарастания (tr): 80 ns
   Выходная емкость (Cd): 130 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.115 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для F31W60CP