F4F60VX2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F4F60VX2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de F4F60VX2 MOSFET
F4F60VX2 Datasheet (PDF)
2sk2563 f4f60vx2.pdf

SHINDENGENVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2563Case : E-packCase : FTO-220(Unit : mm)(F4F60VX2)600V4AFEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast. Avalanche resistance guaranteed.APPLICATION Switching po
Otros transistores... F31W60CP , F35W60C3 , F39W60CP , F3F90HVX2 , F3S90HVX2 , F3V50VX2 , F3V90HVX2 , F47W60C3 , STF13NM60N , F5018-S , F5020-S , F5041 , F5042 , F5042-S , F5043 , F5043-S , F5048 .
History: MDIS1903TH | 2SK4112 | SUM90N10-8M2P | SM3106NSF | SDF430JDA | F5020 | SM3054NSU
History: MDIS1903TH | 2SK4112 | SUM90N10-8M2P | SM3106NSF | SDF430JDA | F5020 | SM3054NSU



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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