F4F60VX2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F4F60VX2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
Encapsulados: TO-220F
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F4F60VX2 datasheet
2sk2563 f4f60vx2.pdf
SHINDENGEN VX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement type OUTLINE DIMENSIONS 2SK2563 Case E-pack Case FTO-220 (Unit mm) (F4F60VX2) 600V4A FEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast. Avalanche resistance guaranteed. APPLICATION Switching po
Otros transistores... F31W60CP , F35W60C3 , F39W60CP , F3F90HVX2 , F3S90HVX2 , F3V50VX2 , F3V90HVX2 , F47W60C3 , IRF520 , F5018-S , F5020-S , F5041 , F5042 , F5042-S , F5043 , F5043-S , F5048 .
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