F4F60VX2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: F4F60VX2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для F4F60VX2
F4F60VX2 Datasheet (PDF)
2sk2563 f4f60vx2.pdf

SHINDENGENVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2563Case : E-packCase : FTO-220(Unit : mm)(F4F60VX2)600V4AFEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast. Avalanche resistance guaranteed.APPLICATION Switching po
Другие MOSFET... F31W60CP , F35W60C3 , F39W60CP , F3F90HVX2 , F3S90HVX2 , F3V50VX2 , F3V90HVX2 , F47W60C3 , CS150N03A8 , F5018-S , F5020-S , F5041 , F5042 , F5042-S , F5043 , F5043-S , F5048 .
History: QM2404C1 | NDS356AP | ZXMN10A25KTC | OSG60R900FF | HY3312PM | AM2308NE
History: QM2404C1 | NDS356AP | ZXMN10A25KTC | OSG60R900FF | HY3312PM | AM2308NE



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235