Справочник MOSFET. F4F60VX2

 

F4F60VX2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: F4F60VX2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для F4F60VX2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F4F60VX2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  shindengen
 2sk2563 f4f60vx2.pdf pdf_icon

F4F60VX2

SHINDENGENVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2563Case : E-packCase : FTO-220(Unit : mm)(F4F60VX2)600V4AFEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast. Avalanche resistance guaranteed.APPLICATION Switching po

Другие MOSFET... F31W60CP , F35W60C3 , F39W60CP , F3F90HVX2 , F3S90HVX2 , F3V50VX2 , F3V90HVX2 , F47W60C3 , CS150N03A8 , F5018-S , F5020-S , F5041 , F5042 , F5042-S , F5043 , F5043-S , F5048 .

History: NTJD5121NT1G | RQ7E055AT | FIR6N40FG | BUK7Y53-100B | MCP20N70 | OSG65R140HSZF

 

 
Back to Top

 


 
.