FC551601 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FC551601
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm
Encapsulados: SMINI5-F3-B
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FC551601 datasheet
fc551601.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). FC551601 Silicon N-channel MOS FET For switching circuits Overview Package FC551601 is N-channel dual type small signal MOS FET employed small size Code surface mounting package. SMini5-F3-B Pin Name Features 1 Gate (FET1) 4 Drain (FET2) 2 Source (FET1/2) 5 Drain (FET1) Low drain-source ON
Otros transistores... FA57SA50LCP , FC40SA50FKP , FC4A22050L , FC4B21080L , FC4B21300L , FC4B21320L , FC4B22070L , FC4B22180L , IRFZ44N , FC591301 , FC591601 , FC654601 , FC694301 , FC694308 , FC694309 , FC694601 , FC6A21060L .
History: VBA4317 | WMB080N10LG2
History: VBA4317 | WMB080N10LG2
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
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