FC551601 Todos los transistores

 

FC551601 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FC551601
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMINI5-F3-B
 

 Búsqueda de reemplazo de FC551601 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FC551601 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:418K  panasonic
 fc551601.pdf pdf_icon

FC551601

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FC551601Silicon N-channel MOS FETFor switching circuits Overview PackageFC551601 is N-channel dual type small signal MOS FET employed small size Codesurface mounting package. SMini5-F3-B Pin Name Features 1: Gate (FET1) 4: Drain (FET2) 2: Source (FET1/2) 5: Drain (FET1) Low drain-source ON

Otros transistores... FA57SA50LCP , FC40SA50FKP , FC4A22050L , FC4B21080L , FC4B21300L , FC4B21320L , FC4B22070L , FC4B22180L , IRFZ44N , FC591301 , FC591601 , FC654601 , FC694301 , FC694308 , FC694309 , FC694601 , FC6A21060L .

History: SUP90N10-8M8P | PHP30NQ15T | 2SK3574-ZK | 7NM70G-TA3-T | PHB110NQ08T

 

 
Back to Top

 


 
.