Справочник MOSFET. FC551601

 

FC551601 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FC551601
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
   Тип корпуса: SMINI5-F3-B

 Аналог (замена) для FC551601

 

 

FC551601 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:418K  panasonic
 fc551601.pdf

FC551601 FC551601

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FC551601Silicon N-channel MOS FETFor switching circuits Overview PackageFC551601 is N-channel dual type small signal MOS FET employed small size Codesurface mounting package. SMini5-F3-B Pin Name Features 1: Gate (FET1) 4: Drain (FET2) 2: Source (FET1/2) 5: Drain (FET1) Low drain-source ON

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top