FC551601 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FC551601
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
Тип корпуса: SMINI5-F3-B
Аналог (замена) для FC551601
FC551601 Datasheet (PDF)
fc551601.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FC551601Silicon N-channel MOS FETFor switching circuits Overview PackageFC551601 is N-channel dual type small signal MOS FET employed small size Codesurface mounting package. SMini5-F3-B Pin Name Features 1: Gate (FET1) 4: Drain (FET2) 2: Source (FET1/2) 5: Drain (FET1) Low drain-source ON
Другие MOSFET... FA57SA50LCP , FC40SA50FKP , FC4A22050L , FC4B21080L , FC4B21300L , FC4B21320L , FC4B22070L , FC4B22180L , IRFZ44N , FC591301 , FC591601 , FC654601 , FC694301 , FC694308 , FC694309 , FC694601 , FC6A21060L .
History: 2SJ213 | JMSL0406AGQ | 2SK1399 | BSP75G | 2SK1494-Z | 2SK3018S3 | HM2310B
History: 2SJ213 | JMSL0406AGQ | 2SK1399 | BSP75G | 2SK1494-Z | 2SK3018S3 | HM2310B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290