Справочник MOSFET. FC551601

 

FC551601 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FC551601
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
   Тип корпуса: SMINI5-F3-B
 

 Аналог (замена) для FC551601

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FC551601 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:418K  panasonic
 fc551601.pdf pdf_icon

FC551601

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FC551601Silicon N-channel MOS FETFor switching circuits Overview PackageFC551601 is N-channel dual type small signal MOS FET employed small size Codesurface mounting package. SMini5-F3-B Pin Name Features 1: Gate (FET1) 4: Drain (FET2) 2: Source (FET1/2) 5: Drain (FET1) Low drain-source ON

Другие MOSFET... FA57SA50LCP , FC40SA50FKP , FC4A22050L , FC4B21080L , FC4B21300L , FC4B21320L , FC4B22070L , FC4B22180L , IRFZ44N , FC591301 , FC591601 , FC654601 , FC694301 , FC694308 , FC694309 , FC694601 , FC6A21060L .

History: CS7N65A4TDY | AM4536C

 

 
Back to Top

 


 
.