FC551601 - описание и поиск аналогов

 

FC551601. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FC551601

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm

Тип корпуса: SMINI5-F3-B

Аналог (замена) для FC551601

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FC551601 даташит

 ..1. Size:418K  panasonic
 fc551601.pdf pdf_icon

FC551601

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). FC551601 Silicon N-channel MOS FET For switching circuits Overview Package FC551601 is N-channel dual type small signal MOS FET employed small size Code surface mounting package. SMini5-F3-B Pin Name Features 1 Gate (FET1) 4 Drain (FET2) 2 Source (FET1/2) 5 Drain (FET1) Low drain-source ON

Другие MOSFET... FA57SA50LCP , FC40SA50FKP , FC4A22050L , FC4B21080L , FC4B21300L , FC4B21320L , FC4B22070L , FC4B22180L , IRFZ44N , FC591301 , FC591601 , FC654601 , FC694301 , FC694308 , FC694309 , FC694601 , FC6A21060L .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.