FC591601 Todos los transistores

 

FC591601 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FC591601
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm
   Paquete / Cubierta: SSMINI5-F4-B
 

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FC591601 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  panasonic
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FC591601

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FC591601Silicon N-channel MOS FETFor switching circuits Overview PackageFC591601 is N-channel dual type small signal MOS FET employed small size Codesurface mounting package. SSMini5-F4-BPackage dimension clicks here. Click! Features Low drain-source ON resistance: RDS(on) typ. = 6 W (VGS = 4.

 9.1. Size:423K  panasonic
 fc591301.pdf pdf_icon

FC591601

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FC591301Silicon N-channel MOS FETFor switching circuits Overview PackageFC591301 is N-channel dual type small signal MOS FET employed small size Codesurface mounting package. SSMini5-F4-BPackage dimension clicks here. Click! Features Low drain-source ON resistance: RDS(on) typ. = 2 W (VGS = 4.

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History: PHD9NQ20T | LNC06R230 | FHU2N60A

 

 
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