FC591601 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FC591601
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
Тип корпуса: SSMINI5-F4-B
FC591601 Datasheet (PDF)
fc591601.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FC591601Silicon N-channel MOS FETFor switching circuits Overview PackageFC591601 is N-channel dual type small signal MOS FET employed small size Codesurface mounting package. SSMini5-F4-BPackage dimension clicks here. Click! Features Low drain-source ON resistance: RDS(on) typ. = 6 W (VGS = 4.
fc591301.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FC591301Silicon N-channel MOS FETFor switching circuits Overview PackageFC591301 is N-channel dual type small signal MOS FET employed small size Codesurface mounting package. SSMini5-F4-BPackage dimension clicks here. Click! Features Low drain-source ON resistance: RDS(on) typ. = 2 W (VGS = 4.
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918