FG654301 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FG654301
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMINI6-F3-B

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FG654301 Datasheet (PDF)

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fg654301.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FG654301Silicon N-channel MOS FET (FET1)Silicon P-channel MOS FET (FET2)For switching circuits Overview PackageFG654301 is N-P channel dual type small signal MOS FET employed small Codesize surface mounting package. SMini6-F3-BPackage dimension clicks here. Click! Features Low drain-source ON

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