FG654301 Todos los transistores

 

FG654301 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FG654301

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: SMINI6-F3-B

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FG654301 datasheet

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FG654301

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). FG654301 Silicon N-channel MOS FET (FET1) Silicon P-channel MOS FET (FET2) For switching circuits Overview Package FG654301 is N-P channel dual type small signal MOS FET employed small Code size surface mounting package. SMini6-F3-B Package dimension clicks here. Click! Features Low drain-source ON

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