Справочник MOSFET. FG654301

 

FG654301 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FG654301
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: SMINI6-F3-B
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FG654301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:558K  panasonic
 fg654301.pdf pdf_icon

FG654301

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FG654301Silicon N-channel MOS FET (FET1)Silicon P-channel MOS FET (FET2)For switching circuits Overview PackageFG654301 is N-P channel dual type small signal MOS FET employed small Codesize surface mounting package. SMini6-F3-BPackage dimension clicks here. Click! Features Low drain-source ON

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: PMPB215ENEA | RU7550S | AUIRFZ34N | 2N6760JANTXV | IXTZ35N25MA | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP

 

 
Back to Top

 


 
.