Справочник MOSFET. FG654301

 

FG654301 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FG654301
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: SMINI6-F3-B

 Аналог (замена) для FG654301

 

 

FG654301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:558K  panasonic
 fg654301.pdf

FG654301 FG654301

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FG654301Silicon N-channel MOS FET (FET1)Silicon P-channel MOS FET (FET2)For switching circuits Overview PackageFG654301 is N-P channel dual type small signal MOS FET employed small Codesize surface mounting package. SMini6-F3-BPackage dimension clicks here. Click! Features Low drain-source ON

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top