FG654301 - описание и поиск аналогов

 

FG654301. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FG654301

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: SMINI6-F3-B

Аналог (замена) для FG654301

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FG654301 даташит

 ..1. Size:558K  panasonic
 fg654301.pdf pdf_icon

FG654301

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). FG654301 Silicon N-channel MOS FET (FET1) Silicon P-channel MOS FET (FET2) For switching circuits Overview Package FG654301 is N-P channel dual type small signal MOS FET employed small Code size surface mounting package. SMini6-F3-B Package dimension clicks here. Click! Features Low drain-source ON

Другие MOSFET... FC8V22090L , FC8V22150L , FC8V22280L , FC8V22290L , FC8V22300L , FC8V3303 , FC8V36060L , FC8V36120L , IRFP250N , FG694301 , FG6K4206 , FIR18N20G , FIR210N06G , FIR75N06G , FIR75N075G , FJ330301 , FJ3303010L .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.