Справочник MOSFET. FG654301

 

FG654301 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FG654301
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: SMINI6-F3-B
 

 Аналог (замена) для FG654301

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FG654301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:558K  panasonic
 fg654301.pdf pdf_icon

FG654301

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FG654301Silicon N-channel MOS FET (FET1)Silicon P-channel MOS FET (FET2)For switching circuits Overview PackageFG654301 is N-P channel dual type small signal MOS FET employed small Codesize surface mounting package. SMini6-F3-BPackage dimension clicks here. Click! Features Low drain-source ON

Другие MOSFET... FC8V22090L , FC8V22150L , FC8V22280L , FC8V22290L , FC8V22300L , FC8V3303 , FC8V36060L , FC8V36120L , AON7408 , FG694301 , FG6K4206 , FIR18N20G , FIR210N06G , FIR75N06G , FIR75N075G , FJ330301 , FJ3303010L .

History: CEP85N75 | SSM6P36FE | FTK2102 | AUIRLB3036

 

 
Back to Top

 


 
.