FG694301 Todos los transistores

 

FG694301 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FG694301
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SSMINI6-F3-B
 

 Búsqueda de reemplazo de FG694301 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FG694301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:621K  panasonic
 fg694301.pdf pdf_icon

FG694301

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FG694301Silicon N-channel MOS FET (FET1)Silicon P-channel MOS FET (FET2)For switching circuits Overview Package CodeFG694301 is N-P channel dual type small signal MOS FET employed small size surface mounting package. SSMini6-F3-B Pin Name Features 1: Source (FET1) 4: Source (FET2) 2: Gate (FET1)

Otros transistores... FC8V22150L , FC8V22280L , FC8V22290L , FC8V22300L , FC8V3303 , FC8V36060L , FC8V36120L , FG654301 , IRF630 , FG6K4206 , FIR18N20G , FIR210N06G , FIR75N06G , FIR75N075G , FJ330301 , FJ3303010L , FJ350301 .

 

 
Back to Top

 


 
.