FG694301 Todos los transistores

 

FG694301 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FG694301

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: SSMINI6-F3-B

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FG694301 datasheet

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FG694301

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). FG694301 Silicon N-channel MOS FET (FET1) Silicon P-channel MOS FET (FET2) For switching circuits Overview Package Code FG694301 is N-P channel dual type small signal MOS FET employed small size surface mounting package. SSMini6-F3-B Pin Name Features 1 Source (FET1) 4 Source (FET2) 2 Gate (FET1)

Otros transistores... FC8V22150L , FC8V22280L , FC8V22290L , FC8V22300L , FC8V3303 , FC8V36060L , FC8V36120L , FG654301 , IRF630 , FG6K4206 , FIR18N20G , FIR210N06G , FIR75N06G , FIR75N075G , FJ330301 , FJ3303010L , FJ350301 .

 

 

 

 

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