FG694301 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FG694301
Маркировка: V7
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: SSMINI6-F3-B
FG694301 Datasheet (PDF)
fg694301.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FG694301Silicon N-channel MOS FET (FET1)Silicon P-channel MOS FET (FET2)For switching circuits Overview Package CodeFG694301 is N-P channel dual type small signal MOS FET employed small size surface mounting package. SSMini6-F3-B Pin Name Features 1: Source (FET1) 4: Source (FET2) 2: Gate (FET1)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918