FG694301 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FG694301
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: SSMINI6-F3-B
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FG694301 Datasheet (PDF)
fg694301.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FG694301Silicon N-channel MOS FET (FET1)Silicon P-channel MOS FET (FET2)For switching circuits Overview Package CodeFG694301 is N-P channel dual type small signal MOS FET employed small size surface mounting package. SSMini6-F3-B Pin Name Features 1: Source (FET1) 4: Source (FET2) 2: Gate (FET1)
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: 2SK3271-01 | AO6804A | NVD5862N | ME7636-G | WMJ38N60C2 | 2SK4209 | PNMDP100V10
History: 2SK3271-01 | AO6804A | NVD5862N | ME7636-G | WMJ38N60C2 | 2SK4209 | PNMDP100V10



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet