Справочник MOSFET. FG694301

 

FG694301 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FG694301
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: SSMINI6-F3-B
 

 Аналог (замена) для FG694301

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FG694301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:621K  panasonic
 fg694301.pdf pdf_icon

FG694301

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FG694301Silicon N-channel MOS FET (FET1)Silicon P-channel MOS FET (FET2)For switching circuits Overview Package CodeFG694301 is N-P channel dual type small signal MOS FET employed small size surface mounting package. SSMini6-F3-B Pin Name Features 1: Source (FET1) 4: Source (FET2) 2: Gate (FET1)

Другие MOSFET... FC8V22150L , FC8V22280L , FC8V22290L , FC8V22300L , FC8V3303 , FC8V36060L , FC8V36120L , FG654301 , 7N65 , FG6K4206 , FIR18N20G , FIR210N06G , FIR75N06G , FIR75N075G , FJ330301 , FJ3303010L , FJ350301 .

History: IPD105N04LG | STW27NM60ND | IXFT140N10P | VBP18R15S | RJK1525DPE | BSC040N08NS5

 

 
Back to Top

 


 
.