FG6K4206 Todos los transistores

 

FG6K4206 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FG6K4206

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: WSMINI6-F1-B

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FG6K4206 datasheet

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FG6K4206

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). FG6K4206 Silicon N-channel MOS FET (FET1) Silicon P-channel MOS FET (FET2) For DC-DC converter circuits For switching circuits Overview Package FG6K4206 is the dual-type MOS FET (N-channel and P-channel) which is Code the most suitable for DC-DC converter and other switching circuits. WSMini6-F1-B Package dimen

Otros transistores... FC8V22280L , FC8V22290L , FC8V22300L , FC8V3303 , FC8V36060L , FC8V36120L , FG654301 , FG694301 , IRF9540 , FIR18N20G , FIR210N06G , FIR75N06G , FIR75N075G , FJ330301 , FJ3303010L , FJ350301 , FJ4B0110 .

 

 

 

 

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