Справочник MOSFET. FG6K4206

 

FG6K4206 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FG6K4206
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: WSMINI6-F1-B
 

 Аналог (замена) для FG6K4206

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FG6K4206 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:583K  panasonic
 fg6k4206.pdf pdf_icon

FG6K4206

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FG6K4206Silicon N-channel MOS FET (FET1)Silicon P-channel MOS FET (FET2)For DC-DC converter circuitsFor switching circuits Overview PackageFG6K4206 is the dual-type MOS FET (N-channel and P-channel) which is Codethe most suitable for DC-DC converter and other switching circuits. WSMini6-F1-BPackage dimen

Другие MOSFET... FC8V22280L , FC8V22290L , FC8V22300L , FC8V3303 , FC8V36060L , FC8V36120L , FG654301 , FG694301 , K3569 , FIR18N20G , FIR210N06G , FIR75N06G , FIR75N075G , FJ330301 , FJ3303010L , FJ350301 , FJ4B0110 .

History: CJ3139KDW | SVGP15161PL3A | F5043 | CEB6060N | IXTQ96N15P | FDS5170N7

 

 
Back to Top

 


 
.