Справочник MOSFET. FG6K4206

 

FG6K4206 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FG6K4206
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: WSMINI6-F1-B
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FG6K4206 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:583K  panasonic
fg6k4206.pdfpdf_icon

FG6K4206

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FG6K4206Silicon N-channel MOS FET (FET1)Silicon P-channel MOS FET (FET2)For DC-DC converter circuitsFor switching circuits Overview PackageFG6K4206 is the dual-type MOS FET (N-channel and P-channel) which is Codethe most suitable for DC-DC converter and other switching circuits. WSMini6-F1-BPackage dimen

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: NTMFS4C054N | IRLR2705 | IPI80N03S4L-04 | FSS130R | ME2604 | STW42N65M5 | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.