FG6K4206 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FG6K4206
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: WSMINI6-F1-B
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FG6K4206 Datasheet (PDF)
fg6k4206.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FG6K4206Silicon N-channel MOS FET (FET1)Silicon P-channel MOS FET (FET2)For DC-DC converter circuitsFor switching circuits Overview PackageFG6K4206 is the dual-type MOS FET (N-channel and P-channel) which is Codethe most suitable for DC-DC converter and other switching circuits. WSMini6-F1-BPackage dimen
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: NTMFS4C054N | IRLR2705 | IPI80N03S4L-04 | FSS130R | ME2604 | STW42N65M5 | IXFP18N65X2
History: NTMFS4C054N | IRLR2705 | IPI80N03S4L-04 | FSS130R | ME2604 | STW42N65M5 | IXFP18N65X2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont